四探針電阻率測定儀  型號： RTS-8 
  是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。

技　術　指　標 ： 

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；  
 方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展)；
 電導率：10^-5～10⁵ s/cm；
 電阻：10^-5～10⁵ Ω；  

可測晶片直徑 140mmX150mm（配S-2A型測試臺）；
200mmX200mm（配S-2B型測試臺）；
400mmX500mm（配S-2C型測試臺）； 
恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) 
數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動顯示； 
四探針探頭基本指標 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）； 
四探針探頭應用參數(shù) （見探頭附帶的合格證） 
模擬電阻測量相對誤差
（ 按JJG508-87進行） 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 
整機測量相對誤差 （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5% 
整機測量標準不確定度 ≤5% 
計算機通訊接口 并口 
標準使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射； 


配置 四探針測試儀主機、探針臺、四探針探頭、

      四探針測試儀主機、 探針臺、 四探針探頭、測試軟件(含測控模塊)